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        • 硅碳棒老化對電阻爐的影響

          2022-05-04 硅碳棒老化對電阻爐的影響

          硅碳棒電阻爐是由多根硅碳棒串聯,并聯或串并結合組成加熱器。爐子的功率P=擺,U是相電壓,R是硅碳棒的相電阻。

        • 硅碳棒質匣缽防護措施

          2022-05-03 硅碳棒質匣缽防護措施

          我們主要從事硅碳棒耐火材料檢測工作,因此每月都對各種耐火澆注料、可塑料進行熱處理和加熱永久線變化試驗。對于不含酸(堿)的澆注料、可塑料其高溫下對硅碳棒的侵蝕非常微弱,雖有出現氧化現象,但也不至于太多影響硅碳棒的使用壽命。

        • 硅碳棒在高溫酸性氣氛下的侵蝕原理

          2022-05-02 硅碳棒在高溫酸性氣氛下的侵蝕原理

          本文研究和分析了硅碳棒?在高溫酸性氣氛下的侵蝕原理,并提出了減少硅碳棒電熱元件高溫酸性氣氛下被侵蝕的防護措施。碳化硅發熱元件(以硅碳棒為例)具有耐高溫、抗氧化、升溫快、壽命長

        • 燒成溫度對硅碳棒性能的影響

          2022-05-01 燒成溫度對硅碳棒性能的影響

          素燒溫度對硅碳棒?的影響素燒過程按其各階段的性質劃分為三個不同的階段。即結合劑軟化及揮發物大量排出階段、結合劑的焦化階段、冷卻階段。

        • 燒成的好壞將直接影響硅碳棒最終的性能

          2022-04-30 燒成的好壞將直接影響硅碳棒最終的性能

          燒成是制備硅碳棒電熱元件過程中一個最為關鍵的工藝,燒成的好壞將直接影響硅碳棒最終的一系列性能。本文采用反應燒結工藝,將燒成分成一次高溫燒成和二次高溫燒成,采用不同配比的保溫料,不同的供電時間進行燒成。

        • 硅碳棒發熱元件氧化表面和斷口形貌分析

          2022-04-29 硅碳棒發熱元件氧化表面和斷口形貌分析

          對硅碳棒?電熱元件氧化表面和斷口形貌分析表明(見圖6),其在16000C氧化時,電熱元件表面主要生成氣相產物而揮發,此時主要的氧化過程為:SiC<s)+喚(g)一Si0(g)+CO(g>而斷口處除了上述伴有氣相產物生成反應外。

        • 分析國產硅碳棒的顯微結構

          2022-04-28 分析國產硅碳棒的顯微結構

          硅碳棒?的顯微結構用MEF3型光學顯微鏡進行觀察,高溫氧化失效表面形貌觀察在S2700型掃描電鏡上進行,并利用掃描電鏡配置的EDAXDX-4型電子能譜儀分析氧化產物的成分。試驗結果及分析國產硅碳棒的顯微結構國產硅碳棒的顯微結構見圖2。

        • 硅碳棒生長的溫場要求

          2022-04-27 硅碳棒生長的溫場要求

          硅碳棒采用SDTQ6001型差熱分析儀器,以100 mL/min的速率通人N2做保護氣氛,升溫到500℃后,以10℃/min的升溫速率加熱到1150 ℃,穩定2 min,再以10 ℃/min的降溫速率冷卻到500℃,測試曲線如圖1所示。

        • 設計并制作硅碳棒加熱單晶生長爐

          2022-04-26 設計并制作硅碳棒加熱單晶生長爐

          硅碳棒經濟分析:成本:(不同材質),鍍膜:元;硅碳棒3一5元,耐溫管2一10元,1一5元;安裝件2工時1元,綜合成本10-2 5元/支,出廠價30-75元/支,毛利率300%。

        • 在同一爐中新舊硅碳棒可混合使用

          2022-04-25 在同一爐中新舊硅碳棒可混合使用

          在1400-1700℃的溫度段,通常選用硅碳棒?加熱元件。硅碳棒加熱元件是用粉末冶金法擠壓、燒結而成,冷端與熱端是通過焊接連接起來的,冷端較粗,供引出用,熱端較細,電阻較大,供發熱用,常用的有6 mm和9 mm兩種。

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